PNY MN8GSD42666 modulo di memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR4 260-pin SO-DIMM
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PNY Technologies MN8GSD42666-SB PNY MN8GSD42666 modulo di memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR4 260-pin SO-DIMM

Codice prodotto:
MN8GSD42666-SB
SKU:
3536403405250
EAN:
3536403405250
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PNY MN8GSD42666 modulo di memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR4 260-pin SO-DIMM

Descrizione

Prezzo di vendita IVA inclusa. Spedizione calcolata al carrello. CAS latency: 19 | Componente per: Laptop | Memoria interna: 8 GB | Tipo memoria interna: DDR4 | Velocità clock memoria: 2666 MHz | Fattore di forma memoria: 260-pin SO-DIMM | Configurazione memoria (moduli x capacità): 1 x 8 GB

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